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乐橙

2英寸氮化镓自支撑晶片 (Si掺杂)

  • 尺寸: Ф 50.8 mm ± 1 mm 厚度: 350 ± 25 µm 电阻率(300k): < 0.05Ω·cm
  • 性能参数:

    • 产品型号 GaN-FS-C-N-C50
      尺寸 Ф 50.8  ± 1 mm
      厚度 350 ± 25 µm
      有效面积 >90%
      晶体取向 C-plane (0001) off angle toward M-Axis 0.35°± 0.15°
      主定位边 (1-100)±0.5°,16.0±1.0mm
      次定位边 (11-20)±3°,8.0±1.0mm
      TTV ≤15µm
      弯曲度 ≤20µm
      导电类型 N-type
      电阻率(300 K) < 0.05Ω·cm
      位错密度 From1x105 to3x106 cm-2
      抛光 Front surface:Ra<0.2 nm(polished);
      or<0.3nm (polished and surface treatment for epitaxy)
      Back Surface:0.5~1.5μm;
      option:1-3nm (Fine ground); < 0.2nm(polished)
      包装 Packaged in a class 100 clean room environment,
      in single container,under a nitrogen atmosphere.